Tungkol sa P-channle parameter ng MOSFET

[leonken]

Para sa P-channle MOSFET, halimbawa Vth =-0.6V Paano malaki ay ang karaniwang halaga ng contact potensyal na pagkakaiba sa pagitan ng gate at mga substrate Φms at bulk Fermi ng potensyal ΦB at Võ (ng isang correctin utang na term sa limitasyon shift magtanim)? Salamat

 

[pi331133]

Ito ay mahirap sabihin ang eksaktong halaga. Depende sa substrate kondaktibiti, ang plano doping, ng oksido kalidad at taas. Maaari kang sumangguni sa ilang mga libro ng semiconductor physics o ilang bsim3 na file modelo upang makakuha ng isang ideya. Salamat.