Paano upang piliin ang laki ng bipolar sa BiCMOS na disenyo?

W

wee_liang

Guest
Hi, Ako ay bago sa BiCMOS mga disenyo (BJT sa mga partikular na). Sa CMOS, piliin namin WL nang naaayon upang makuha ang gm gusto naming atbp Paano ang tungkol sa BJT? Ang pangunahing parameter upang ibahin ang emitter lugar, ngunit ito ay nakakaapekto lamang Ay variable sa IC equation. Ano ang mga pagsasaalang-alang ay pagpili ng isang mahusay na sukat sa panahon ng mga disenyo? Ano ang mga epekto kung IC ay masyadong mataas para sa isang maliit BJT? Anumang mga patakaran ng hinlalaki?
 
Karaniwang pagsasanay para sa mga bipolar disenyo - mayroon kang ilang mga nakapirming layout aparato at pagandahin ang modelo para sa bawat layout. Iyon ay dahil sa layout baguhin ang maaaring baguhin ang ilang mga parameter ng Spice modelo. At ito ay maaaring baguhin hindi lamang Ay ngunit Rb, Rc o sa iba rin. Kaya Kung kailangan mo ng mas malaking transistor laki ng mas mahusay na gamitin ang ilang mga takdang-layout aparatong konektado kahanay. Ito rin magandang practice kapag kailangan mo ang panatilihing ratio para sa kasalukuyang mirrors. Kung kailangan mo ng mataas na kasalukuyang aparato (ng higit sa ilang daang MA) dapat mong gamitin sa gayon tinatawag na resistors balasto konektado sa emitter o base. Ang makakuha ng (B o h21e) ng bipolar transistor ay may pag-asa sa IC. Ito ay lowered parehong may mababang IC at mataas na IC at may pinakamataas na para sa ilang mga gitna IC. Ang aparato kasalukuyang density (o aparato laki) ay dapat tumutugma sa mga IC kapag makakuha ng may max halaga. Good luck, Fom
 
lamang upang idagdag sa kung ano ang nai-sinabi. Karaniwan, ang Ft ng transistor ay may isang maximum na para sa IC bahagyang bago h21 pagsisimula bumabagsak na (sa mas mataas na kasalukuyang pagtatapos). Kaya, upang piliin ang mga aparato na lugar, kumuha nang isang transistor na maaaring magsagawa ng mga kinakailangang IC na may magandang h21 at na nagbibigay sa magandang Ft (kung kailangan mo ito).
 
karaniwang sa bicmos proseso, ang proseso ay lubos na sinulit para sa cmos, at ang bjt ay ang mga "scrap" na aparato. kung mayroon kang npn & pag-ilid pnp, ito ang kaso. pa rin, ang mga proseso ng halos palaging magkaroon ng isang iminungkahing layout npn, ito ay hindi tulad ng bipolar kung saan maaari mong gumuhit ng emitters anumang laki na gusto mo. din, sa bicmos, ang bipolars ay kaya malaki (kumpara sa cmos) na lamang ang mga ito ay ginagamit para sa mga espesyal na bagay - input pares ng isang mababang-offset amp, bandgap, temp sensor. mga application na ito ang lahat ng gamitin ang bjt ay sa rehiyon "signal" - 1 sa 100uA, kung saan nag-iisang bjt ay ay pinong gamitin. bandgap siyempre ay gumagamit ng 01:08, atbp ay hindi sa anumang kaso na i nakakita ka ng kapangyarihan bjt sa isang proseso bicmos .. kung ano ang iyong application? dapat ay isinasaalang-alang kung ang isang bjt ay ang karapatan na aparato para sa iyo kung ikaw ay humihingi ito sa carry malalaking alon. doon ay marahil ng isang mas mahusay na (mas maliit) na paraan ng paggamit buwan.
 
Ako ay payagan Matindi ang aking sarili upang hindi sumang-ayon na ang bicmos proseso mayroon scrappy bjts. Kasalukuyan akong nagtatrabaho sa 0.35u bicmos SiGe at sabihin sa iyo na kami ay may parehong vertical npn at pnp na may tungkol sa 40Ghz Ft para sa npn. Gayundin, bjts ginagamit namin halos lahat ng dako sa par sa cmos. Maraming mga beses nila patunayan na maging napaka-kapaki-pakinabang.
 
Ako sumasang-ayon sa sutapanaki kasalukuyan ako gamit 0.35um SIGE. Ang pandayan ay nagbibigay ng mataas na perfomance npn na ft ay hanggang sa 40GHZ. Ngunit mayroon akong sakit ng ulo problema, para sa isang tiyak npn. Kung ako lamang magkaroon ng isang kasalukuyang badyet ng tungkol sa 100uA para sa bawat emitter tagasunod at kaugalian pares. Gusto ko pumili ng isang maliit na aparato at bias ito sa ang pinakamataas na ft. Ngunit ang problema arises dito, ang mga maliliit na aparato ay isang malaking mismatch at offset parameter. Paano ko malutas ang problemang ito?
 
Tingin ko u ay maaaring gumamit ng isang tipikal na laki ng mga foundry.just bilang Unitrode company.they gamitin kahit oras ng dalawang bipolars na bumuo ng isang dalawang-transistor bandgap.
 
[Quote = chihyang Wang] kong gawin sumasang-ayon sa sutapanaki kasalukuyan ako gamit 0.35um SIGE. Ang pandayan ay nagbibigay ng mataas na perfomance npn na ft ay hanggang sa 40GHZ. Ngunit mayroon akong sakit ng ulo problema, para sa isang tiyak npn. Kung ako lamang magkaroon ng isang kasalukuyang badyet ng tungkol sa 100uA para sa bawat emitter tagasunod at kaugalian pares. Gusto ko pumili ng isang maliit na aparato at bias ito sa ang pinakamataas na ft. Ngunit ang problema arises dito, ang mga maliliit na aparato ay isang malaking mismatch at offset parameter. Paano ko malutas ang problemang ito? [/Quote] Sigurado ka gamit ang isang austriamicrosystem proseso?
 
hehe - maaari mong Matindi ang hindi sumasang-ayon kung gusto mo. matandaan, i binanggit sa isang proseso na naglalaman ng pag-ilid pnp - ito ay isang sigurado mag-sign na ang iyong bjt ay mga scrap. vertical pnp ibig sabihin na ang proseso ng hindi bababa sa naka-target sa bjt kung hindi nakuha mula sa isang proseso bipolar, at malinaw naman, ang punto ng isang sige proseso ay upang gumawa ng hbt sa gayon ay i talagang pag-asa mayroon silang isang magandang bipolar! i personal na tingin doon ay masyadong maraming mga cellphones sa mundo na, kaya hulaan i hindi ko kahit na sa tingin tungkol sa iyo mahihirap guys rf kapag sa tingin ko bicmos, ngunit Kukunin ko panatilihin ito sa isip ninyo sa hinaharap ..
 
Building ng isang pag-ilid pnp ay hindi isang rocket science, alam mo. Kahit na purong CMOS ay may mga ito. Kung sa bagay ang bicmos proseso ginagamit ko ay pag-ilid pnp masyadong, ngunit ito ay katunayan nag-iisa ay hindi gumawa ito ng isang scrappy proces. Oh, at BTW, hindi ako isang rf tao, ngunit pa ring gamitin ang bicmos. RF ay hindi ang tanging bagay na maaaring makinabang mula sa ito.
 
You must log in or register to reply here.

Welcome to EDABoard.com

Sponsor

Back
Top