S
sgunupuri01
Guest
Hi All, Maaari anumang isa sabihin sa akin kung ano ang maaaring ang pinakamahusay na halaga ng cap ay maaaring makuha sa pamamagitan ng ina per cap sq um [ / b]. thanks in advance
E
erikl
Guest
[Quote = sgunupuri01] Maaari anumang isa sabihin sa akin kung ano ang maaaring ang pinakamahusay na halaga ng cap ay maaaring makuha sa pamamagitan ng ina per cap [sq um / i ] . [/Quote] C = (ε0 εr * 1μm ²) / t_iso Para sa isang 0.18μm proseso, eg εr ≈ 7; t_iso ≈ 300nm; ==> C / Area ≈ 0.2 ff / μm ² Gate oksido akumulasyon caps makamit ≈ ² 3fF/μm sa ang proseso na ito tech.
T
timof
Guest
[Quote = sgunupuri01] Hi All, Maaari anumang isa sabihin sa akin kung ano ang maaaring ang pinakamahusay na halaga ng cap ay maaaring makuha sa pamamagitan ng ina per cap Um sq . thanks in advance [/quote] Para sa 90nm teknolohiya at sa ibaba, kapasidad para sa densidad mom capacitors ay maaaring bilang mataas na bilang 2 fF/um2. (IBM iniulat na halaga ng 1.73-1.76 fF/um2 sa maraming mga papeles, at ito ay marahil na mas mataas sa mga modernong teknolohiya). Ayon sa UMC, mom kapasitor densidad ay lumampas na ng MIM capacitors ("A 65-nm High-Frequency Low-ingay CMOS-Batay RF Soc Teknolohiya", Yang, D.; Ding, Y.; Huang, S.; IEEE Transaksyon sa Electron Devices, Volume 57, Issue 1, Enero 2010 Page (s): 328-335). Kapasidad ay mas mataas kaysa sa halaga nagmula sa pamamagitan ng Eric dahil maraming metal layers ay ginagamit para sa mom kapasitor, ang distansya sa pagitan ng mga metal sa mga advanced na nodes ay mas maliit (~ 0.1um), ang parehong vertical at ilid electric field fluxes maaaring gamitin (kahit na dielectric pare-pareho ay mas mababa sa 7.0 - ito ay ~ 3.9 para SiO2, at 2.5-2.9 sa mga advanced na low-K teknolohiya BEOL).
D
deepak242003
Guest
E
erikl
Guest
[Quote = deepak242003] ... i pagdududa, ito ay tumatagal sa account ilid (fringing kapasidad) din ???..[/quote] Kayo ay may karapatan, ito comprises lamang ang lugar na umaasa kapasidad. [Quote = deepak242003] Mayroon bang anumang paraan upang tantiyahin kapasidad ng habi o magsuklay tulad (interdigital) ..???:?::?:[/ istraktura quote docu] PDK karaniwang estado ng fringing data, masyadong, seg ang TSMC 0.18 μ elektrikal parameter sa ibaba (publish sa pamamagitan ng MOSIS).
D
deepak242003
Guest
kailangan namin upang maidagdag ang palawit kapasidad na nagsasapawan kapasidad upang makakuha ng kabuuang cap ..?? nyways thx isang pulutong Erik .... 
E
erikl
Guest
[Quote = deepak242003] na kailangan namin upang maidagdag ang palawit kapasidad na magkakapatong? [/Quote] Oo naman, kung kailangan mo ng isang napaka tumpak bunutan. At ito ay depende din sa kontribusyon ng fringing takip sa kabuuang cap: cap array o umit istruktura ng kontribusyon proportionally mas fringing takip sa kabuuang cap kaysa (single) caps block. Kung ang fringing kontribusyon cap ay higit sa - sabihin - 0.1%, dapat mong isaalang-alang ang kanyang kontribusyon sa kaso ng isang 10bit-converter, dahil kung hindi man ang matching cap hindi kawastuan hindi magpapakita ng up at gusto mo malamang na hindi makilala ang ENOB pagbabawas na sanhi ng ito .
T
timof
Guest
Mangyaring tandaan na ang pagkakahiwalay sa kabuuang kapasidad sa lugar at palawit (at kahit na ano pa) components ay hindi isang mahigpit na paraan upang makalkula ang kapasidad. Ito ay lamang ng isang maginhawang humigit-kumulang na katiyakan, na nagpapahintulot sa pagtatantya kapasidad. Ito ay hindi kumuha sa account ang mga kapaligiran ng kapasitor, iba pang mga epekto ikalawang-sunod (ie harapan ng sulok sa layout, o kumplikado hugis), at kaya nito kawastuhan ay marahil hindi mas mahusay kaysa sa ilang porsyento (o mas masahol pa). Tumpak ang pagkalkula kapasidad (sa isang mas mahusay na kawastuhan kaysa sa ilang porsiyento) ay nangangailangan ng paglutas ng Laplace equation at pagsasama ng electric field o singil, at sa pangkalahatang kaso imposibleng meaningfully hiwalay ang kabuuang kapasidad sa bahagyang mga sangkap.