| Author | Mensahe |
|---|
dineshbabumm
Joined: 07 Dec 2005
Posts: 125
Nakatulong: 8
|  Marso 12, 2007 15:22 vertical bjt | | |
|
| | Ito ay isang kilalang katotohanan na BJT ay mas mabilis kaysa sa CMOS .. Puwede anumang isa ipaliwanag kung bakit ito ay kaya? Parehong ng may kanilang sariling mga capacitances .. Aking mga kaibigan sinabi sa akin nito marahil dahil sa kanilang transconductance .. Anyways maaari ang isa sa anumang bigyan ng isang malinaw na larawan sa patunayan ang sagot na please?? |
|
| Bumalik sa tuktok | |
 |
dkace
Joined: 13 Hunyo 2002
Posts: 364
Nakatulong sa: 24
Lokasyon: Greece
| Marso 12, 2007 15:29 mga limitasyon ng bjt | | |
|
| BJT mas mabilis kaysa sa CMOS. Sa anong isyu? Mas mabilis switvhing on / off? Mas mabilis na tungkol sa mga oras na output ay lumitaw matapos ang input ay inilalapat?
D. |
|
| Bumalik sa tuktok | |
|
Google
AdSense
| Marso 12, 2007 15:29 Patalastas | | |
|
|
|
|
| Bumalik sa tuktok | |
|
dineshbabumm
Joined: 07 Dec 2005
Posts: 125
Nakatulong: 8
| Marso 12, 2007 15:54 bjt mas mabilis cmos | | |
|
| | dkace wrote: | BJT mas mabilis kaysa sa CMOS. Sa anong isyu? Mas mabilis switvhing on / off? Mas mabilis na tungkol sa mga oras na output ay lumitaw matapos ang input ay inilalapat?
D. |
Ako hulaan BJT ay mas mabilis kaysa sa MOS karaniwan sa lahat ng aspeto ... Ngunit sa pangkalahatan ang mga tao sumangguni BJT ay kapaki-pakinabang sa paglipat sa mataas na dalas kaysa sa MOS .. Maaari u plz gumawa ng malinaw kung bakit ito kaya? Gayundin isn't BJT mas mabilis kaysa sa MOS sa lahat ng aspeto? |
|
| Bumalik sa tuktok | |
|
Yahia Muhammad
Joined: 30 Marso 2006
Posts: 92
Nakatulong: 5
| Marso 12, 2007 16:10 bjt sukat | | |
|
| kung kami ay pakikipag-usap tungkol sa mas mataas na piye
ang gate sa CMOS ay ilid at ang base sa BJT ay vertical
teknolohiya ng pera namin control vertical sukat ng higit sa ilid sukat sa panahon ng pagmamanupaktura upang maaari naming magbawas sa mga batayang lapad ng mas maraming karaniwang base lapad na ngayon ay nasa hanay ng mga 35 NM na ang lapad base bumababa ang batayang oras transit na bumababa kaya ft nadadagdagan |
|
| Bumalik sa tuktok | |
|
dineshbabumm
Joined: 07 Dec 2005
Posts: 125
Nakatulong: 8
| Marso 12, 2007 16:14 nmos mas mabilis kaysa sa cmos | | |
|
| | Yahia Muhammad wrote: | kung kami ay pakikipag-usap tungkol sa mas mataas na piye
ang gate sa CMOS ay ilid at ang base sa BJT ay vertical
teknolohiya ng pera namin control vertical sukat ng higit sa ilid sukat sa panahon ng pagmamanupaktura upang maaari naming magbawas sa mga batayang lapad ng mas maraming karaniwang base lapad na ngayon ay nasa hanay ng mga 35 NM na ang lapad base bumababa ang batayang oras transit na bumababa kaya ft nadadagdagan |
"maaari naming control vertical sukat ng higit sa ilid sukat"
Bakit kaya? Maaari u plz patunayan ang pahayag?
"sa panahon ng pagmamanupaktura upang maaari naming magbawas sa mga batayang lapad ng mas maraming karaniwang base lapad na ngayon ay nasa hanay ng mga 35 NM na ang lapad base bumababa ang batayang oras transit na bumababa kaya ft tataas"
Subalit MOS occupies magkano ang lugar na mas maliit kaysa sa BJT at atipan ng pawid ang dahilan ginagamit namin MOS sa ICS karaniwang right? Paano ito justifies ang sagot? |
|
| Bumalik sa tuktok | |
|
Yahia Muhammad
Joined: 30 Marso 2006
Posts: 92
Nakatulong: 5
| Marso 12, 2007 17:13 ihambing vertical ilid cmos bjt | | |
|
| ilid ang mga direksyon ay mas kontrolado dahil sa pagdidiprakt ng liwanag na ginagamit sa photolithography ito ay isang bagay na maaaring makaapekto sa mga sukat
ngunit vertical bahagi ay hindi apektado ng kadahilanan na ito
yes ang MOS tumatagal ng lugar na mas maliit kaysa sa CMOS ngunit ang batayang lapad ay ang pinakamaliit na magsilbi namin na gawin ang mga batayang masyadong makitid
Added pagkatapos ng 52 minuto:
din mula sa parasitics pananaw BJT ay lamang ng dalawang capacitances ngunit ang mosfet kami ay may 6 (ang 5 na ipinapakita at ng oksido kapasidad) capacitances tulad ng inaasahan namin ang kapasidad sa pagitan ng bawat isa sa apat na mga "ports" kaya ito ay tumatagal ng oras upang singilin ang mga capacitances (ang mosfet ay isang sariling load aparato)
 |
|
| Bumalik sa tuktok | |
|
barath_87
Joined: 07 Feb 2006
Posts: 170
Nakatulong sa: 10
| Marso 14, 2007 2:22 ilid vertical bjt | | |
|
| | Mag-isip tungkol sa dalas ng tugon ng isang diode, ito ay isang napaka-mabilis na aparato na maaaring magamit upang patakbuhin sa mataas na dalas ng katulad sa isang BJT mayroon kang dalawang junctions semikondaktor ... sa isang MOS ang singil ng carrier ay sa travell kasama ang kumpletong haba ng channel (source upang alisan ng tubig) sa ilalim ng impluwensiya ng isang vertical patlang ... kaya BJT's ay mas mabilis kaysa sa CMOS amd ang ginagamit sa mataas na dalas ng aplikasyon. |
|
| Bumalik sa tuktok | |
|
SkyHigh
Joined: 13 Enero 2005
Posts: 376
Nakatulong sa: 51
| Marso 14, 2007 3:16 kung ano ang resistances gumawa nmos mas mabilis kaysa sa cmos | | |
|
| Paumanhin sa mga puna, ngunit tingin ko ay wala ng sumagot ka ng kanyang mga katanungan.
Siguro wala kang alam kung bakit BJT ay mas mabilis kaysa sa MOS, bagaman marami ka tried, ngunit ang iyong pag-unawa ay hindi kahit na close.
Sa pangkalahatan, kapag ang isang paghahambing monolitik BJT at isang monolitik UJT tulad ng MOS:
BJT ay may batayang, inilaan para sa mga butas na kapalit. Ito ay tulad ng isang buffer minorya carrier para sa mga electron. Sa ilalim ng mataas na electric field ng lakas sa kolektor, karamihan ng mga electron ay pinabilis. Ang ganitong mga acceleration depende sa Vce at HFE.
MOS ay walang buffer. MOS depende sa pagbabaligtad (kahit mahina o malakas) sa pag-uugali sa pagitan ng mga pinagmulan at alisan ng tubig, kaya ang channel poses ng isang malaki pagtutol (Ron).
Bilang isang aparato ay nagpapatakbo ng higit sa isang mas mahabang panahon, nagiging sanhi ng init sa Ron tataas, ang pinakamataas na binabawasan ang bandwidth.
Maninipsip takip sa BJT ay relatibong mas makabuluhan kaysa sa MOS dahil tulad takip higit sa lahat sa pagitan ng mga nodes sa emitter. May maninipsip takip magpose maliit na limitasyon sa BJT. Gayunpaman, parasitiko takip sa MOS eksibit impluwensiya sa loob ng aparato ilid istraktura, maki-sanggunian pinagmulan, gate at alisan ng tubig. Ang ilan ay ignorable sa mataas-dalas modelo, pero pa rin ang mga likas Cgs, Cgd ay CD ay magpakailan man doon!
Gayunman, MOS ay nagbago mula sa pang-channel sa maikling-channel, upang HEMT, FinFet at kahit na sa mga extend ng paggamit SOI. Gap ay pagsasara. |
|
| Bumalik sa tuktok | |
|
jinnose
Joined: 24 Pebrero 2007
Posts: 20
Nakatulong: 1
| Marso 14, 2007 5:37 gm bjt vs cmos | | |
|
| | sa mga tuntunin ng gm ... para sa parehong bias kasalukuyang gm ng BJT ay 4-10x na mas mataas kaysa sa gm ng MOSFET. |
|
| Bumalik sa tuktok | |
|
dkace
Joined: 13 Hunyo 2002
Posts: 364
Nakatulong sa: 24
Lokasyon: Greece
| Marso 14, 2007 8:40 gm bjt | | |
|
| Sumasang-ayon ako na may ganap na SkyHigh. Walang mistiko-unlad sa microelectronics at ang lahat ng paracitics maaring madaling natagpuan. Subukang pumunta sa physics ng aparato hindi sa kinalabasan sundin!
D. |
|
| Bumalik sa tuktok | |
|
